Skillnad mellan inneboende och yttre halvledare
de inre och yttre halvledarna skiljer sig från varandra med tanke på olika faktorer såsom dopning eller tillsats av orenhet, densitet av elektroner och hål i halvledarmaterialet, elektrisk ledningsförmåga och dess beroende av olika andra faktorer.
skillnaden mellan de två typerna av halvledare ges nedan i detalj.
| grund för skillnad | INTRINSIC SEMICONDUCTOR | EXTRINSIC SEMICONDUCTOR |
|---|---|---|
| dopning av orenhet | dopning eller tillsats av orenhet sker inte i inneboende halvledare. | en liten mängd orenhet doppas i en ren halvledare för framställning av yttre halvledare. |
| densitet av elektroner och hål | antalet fria elektroner i ledningsbandet är lika med antalet hål i valensbandet. | antalet elektroner och hål är inte lika. |
| elektrisk ledningsförmåga | elektrisk ledningsförmåga är låg. | elektrisk ledningsförmåga är hög | beroende av elektrisk ledningsförmåga | elektrisk ledningsförmåga är en funktion av temperaturen ensam. | elektrisk ledningsförmåga beror på temperaturen såväl som på mängden föroreningsdopning i den rena halvledaren. |
| exempel | kristallin form av rent kisel och Germanium. | orenhet som As, Sb, P,In, Bi, Al etc. är doppade med Germanium och kiselatom. |
Intrinsic Semiconductor är en ren form av halvledaren som här ingen tillsats av orenhet sker. Ett exempel på inneboende halvledare är kisel (Si) och Germanium (Ge).
skillnad mellan intrinsisk och extrinsisk halvledare
- i en inneboende halvledare sker inte tillsatsen av orenhet med en ren halvledare, medan den extrinsiska halvledaren bildas genom doppning av orenhet i en ren halvledare.
- densiteten hos elektroner och hål i den inneboende halvledaren är densamma, dvs antalet fria elektroner närvarande i ledningsbandet är lika med antalet hål i valensbandet. Men när det gäller yttre halvledare är antalet elektroner och hål inte lika. I en halvledare av p-typ är hålen i överskott och halvledare av N-typ är antalet elektroner större än antalet hål.
- den elektriska ledningsförmågan hos en inneboende halvledare är låg, medan i yttre halvledare är den elektriska ledningsförmågan hög.
- orenheten som arsenik, antimon, fosfor, aluminium indium, etc. tillsätts till den rena formen av kisel och germanium för att bilda en yttre halvledare. Den rena formen av kisel och germaniumkristall används i en inneboende halvledare.
- elektrisk ledningsförmåga i en inneboende halvledare är en funktion av temperaturen ensam, men i yttre halvledare beror den elektriska ledningsförmågan på temperaturen och mängden föroreningsdopning i den rena halvledaren.