Différence entre semi-conducteurs intrinsèque et Extrinsèque
Les semi-conducteurs intrinsèque et Extrinsèque se distinguent l’un de l’autre en tenant compte de divers facteurs tels que le dopage ou l’ajout de l’impureté, la densité des électrons et des trous dans le matériau semi-conducteur, la conductivité électrique et sa dépendance à divers autres facteurs.
La différence entre les deux types de semi-conducteurs est donnée ci-dessous en détail.
| BASE DE DIFFÉRENCE | SEMI-CONDUCTEUR INTRINSÈQUE | SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE |
|---|---|---|
| Dopage d’impureté | Le dopage ou l’addition d’impureté n’a pas lieu dans un semi-conducteur intrinsèque. | Une petite quantité d’impureté est doppée dans un semi-conducteur pur pour préparer un semi-conducteur extrinsèque. |
| Densité d’électrons et de trous | Le nombre d’électrons libres dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la bande de valence. | Le nombre d’électrons et de trous n’est pas égal. |
| Conductivité électrique | La conductivité électrique est faible. | La conductivité électrique est élevée |
| Dépendance de la conductivité électrique | La conductivité électrique est fonction de la température seule. | La conductivité électrique dépend de la température ainsi que de la quantité de dopage des impuretés dans le semi-conducteur pur. |
| Exemple | Forme cristalline de silicium pur et de Germanium. | Impureté comme As, Sb, P, In, Bi, Al etc. sont dopped avec l’atome de germanium et de silicium. |
Le semi-conducteur intrinsèque est une forme pure du semi-conducteur car ici aucune addition d’impureté n’a lieu. Un exemple de semi-conducteurs intrinsèques est le silicium (Si) et le germanium (Ge).
Différence Entre Semi-conducteur intrinsèque et Semi-conducteur extrinsèque
- Dans un semi-conducteur intrinsèque, l’addition d’impureté avec un semi-conducteur pur n’a pas lieu, alors que le semi-conducteur extrinsèque est formé par le découpage d’impureté dans un semi-conducteur pur.
- La densité d’électrons et de trous dans le semi-conducteur intrinsèque est la même, c’est-à-dire que le nombre d’électrons libres présents dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la bande de valence. Mais dans le cas des semi-conducteurs extrinsèques, le nombre d’électrons et de trous n’est pas égal. Dans un semi-conducteur de type p, les trous sont en excès et le nombre d’électrons du semi-conducteur de type n est supérieur au nombre de trous.
- La conductivité électrique d’un semi-conducteur intrinsèque est faible, alors que dans un semi-conducteur extrinsèque, la conductivité électrique est élevée.
- Les impuretés comme l’arsenic, l’antimoine, le phosphore, l’aluminium, l’indium, etc. est ajouté à la forme pure de silicium et de germanium pour former un semi-conducteur extrinsèque. La forme pure du cristal de silicium et de germanium est utilisée dans un semi-conducteur intrinsèque.
- La conductivité électrique dans un semi-conducteur intrinsèque est fonction de la température seule, mais dans un semi-conducteur extrinsèque, la conductivité électrique dépend de la température et de la quantité de dopage d’impureté dans le semi-conducteur pur.