Differenza tra semiconduttori intrinseci ed estrinseci
I semiconduttori intrinseci ed estrinseci si distinguono l’uno dall’altro considerando vari fattori come il doping o l’aggiunta dell’impurità, la densità degli elettroni e dei fori nel materiale semiconduttore, la conduttività elettrica e la sua dipendenza da vari altri fattori.
La differenza tra i due tipi di semiconduttori è riportata di seguito in dettaglio.
| BASE DI DIFFERENZA | SEMICONDUTTORE INTRINSECO | SEMICONDUTTORE ESTRINSECO |
|---|---|---|
| Doping di impurità | Doping o l’aggiunta di impurità non avviene nel semiconduttore intrinseco. | Una piccola quantità di impurità è dopped in un semiconduttore puro per la preparazione di semiconduttori estrinseci. |
| Densità di elettroni e fori | Il numero di elettroni liberi nella banda di conduzione è uguale al numero di fori nella banda di valenza. | Il numero di elettroni e buchi non sono uguali. |
| Conducibilità elettrica | La conducibilità elettrica è bassa. | La conduttività elettrica è alta |
| Dipendenza della conduttività elettrica | La conduttività elettrica è una funzione della sola temperatura. | La conducibilità elettrica dipende dalla temperatura come pure dalla quantità di drogaggio dell’impurità nel semiconduttore puro. |
| Esempio | Forma cristallina di silicio puro e germanio. | Impurità come As, Sb, P, In, Bi, Al ecc. sono dopped con germanio e atomo di silicio. |
Il semiconduttore intrinseco è una forma pura del semiconduttore poiché qui non avviene alcuna aggiunta di impurità. Un esempio di semiconduttori intrinseci è il silicio (Si) e il germanio (Ge).
Differenza tra semiconduttore intrinseco ed estrinseco
- In un semiconduttore intrinseco, l’aggiunta di impurità con un semiconduttore puro non ha luogo, mentre il semiconduttore estrinseco è formato dall’aggiunta di impurità in un semiconduttore puro.
- La densità di elettroni e fori nel semiconduttore intrinseco è la stessa, cioè il numero di elettroni liberi presenti nella banda di conduzione è uguale al numero di fori nella banda di valenza. Ma nel caso dei semiconduttori estrinseci, il numero di elettroni e fori non sono uguali. In un semiconduttore di tipo p, i fori sono in eccesso e il semiconduttore di tipo n il numero di elettroni è maggiore del numero di fori.
- La conduttività elettrica di un semiconduttore intrinseco è bassa, mentre nel semiconduttore estrinseco la conduttività elettrica è alta.
- L’impurità come arsenico, antimonio, fosforo, indio di alluminio, ecc. viene aggiunto alla forma pura di silicio e germanio per formare un semiconduttore estrinseco. La forma pura di silicio e germanio cristallo viene utilizzato in un semiconduttore intrinseco.
- La conduttività elettrica in un semiconduttore intrinseco è una funzione della sola temperatura, ma nel semiconduttore estrinseco la conduttività elettrica dipende dalla temperatura e dalla quantità di impurità droganti nel semiconduttore puro.