Diferencia Entre Semiconductores Intrínsecos y Extrínsecos
Los semiconductores intrínsecos y extrínsecos se distinguen entre sí teniendo en cuenta varios factores, como el dopaje o la adición de impurezas, la densidad de electrones y agujeros en el material semiconductor, la conductividad eléctrica y su dependencia de varios otros factores.
La diferencia entre los dos tipos de semiconductores se dan a continuación en detalle.
| BASE DE la DIFERENCIA | SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO | SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS |
|---|---|---|
| Dopaje de la impureza | Dopaje o la adición de impurezas no tiene lugar en el semiconductor intrínseco. | Una pequeña cantidad de impurezas se dopa en un semiconductor puro para preparar semiconductores extrínsecos. |
| Densidad de los electrones y los huecos | El número de electrones libres en la banda de conducción es igual al número de agujeros en las bandas de valencia. | El número de electrones y agujeros no son iguales. |
| conductividad Eléctrica | conductividad Eléctrica es baja. | conductividad Eléctrica es alta |
| la Dependencia de la conductividad eléctrica | conductividad Eléctrica es una función de la temperatura solamente. | La conductividad eléctrica depende de la temperatura, así como de la cantidad de dopaje de impurezas en el semiconductor puro. |
| Ejemplo | Forma cristalina de Silicio puro y germanio. | Impurezas como As, Sb, P, In, Bi, Al, etc. están dopados con átomos de germanio y silicio. |
El semiconductor intrínseco es una forma pura del semiconductor, ya que aquí no se produce la adición de impurezas. Un ejemplo de semiconductores intrínsecos es el silicio (Si) y el germanio (Ge).
Diferencia entre Semiconductores intrínsecos y Extrínsecos
- En un semiconductor intrínseco, la adición de impurezas con un semiconductor puro no tiene lugar, mientras que el semiconductor extrínseco está formado por la eliminación de impurezas en un semiconductor puro.
- La densidad de electrones y agujeros en el semiconductor intrínseco es la misma, es decir, el número de electrones libres presentes en la banda de conducción es igual al número de agujeros en la banda de valencia. Pero en el caso de los semiconductores extrínsecos, el número de electrones y agujeros no es igual. En un semiconductor de tipo p, los agujeros están en exceso y el semiconductor de tipo n el número de electrones es mayor que el número de agujeros.
- La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco es baja, mientras que en un semiconductor extrínseco la conductividad eléctrica es alta.
- Impurezas como arsénico, antimonio, fósforo, aluminio indio, etc. se añade a la forma pura de silicio y germanio para formar un semiconductor extrínseco. La forma pura de silicio y cristal de germanio se utiliza en un semiconductor intrínseco.
- La conductividad eléctrica en un semiconductor intrínseco es una función de la temperatura sola, pero en un semiconductor extrínseco la conductividad eléctrica depende de la temperatura y la cantidad de dopaje de impurezas en el semiconductor puro.