Diferença Entre Intrínsecos e Extrínsecos de Semicondutores
O Intrínsecas e Extrínsecas semicondutores são distintos um do outro, considerando diversos fatores, tais como a dopagem ou a adição de impureza, a densidade de elétrons e buracos no material semicondutor, condutividade elétrica, e sua dependência de vários outros fatores.
a diferença entre os dois tipos de semicondutores é dada abaixo em detalhe.
| BASE DE DIFERENÇA | SEMICONDUTOR INTRÍNSECO | SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS | |
|---|---|---|---|
| Doping de impureza | Doping ou adição de impurezas não ter lugar em semicondutores intrínsecos. | uma pequena quantidade de impureza é dobrada em um semicondutor puro para a preparação de semicondutores extrínsecos. | |
| Densidade de elétrons e buracos | O número de elétrons livres na banda de condução é igual ao número de buracos na banda de valência. | o número de elétrons e buracos não são iguais. a condutividade eléctrica é baixa. | a condutividade eléctrica é elevada |
| dependência da condutividade eléctrica | a condutividade eléctrica é apenas uma função da temperatura. | a condutividade elétrica depende da temperatura, bem como da quantidade de impureza doping no semicondutor puro.forma cristalina de silício puro e germânio.impureza como As, Sb, P, In, Bi, Al etc. estão cobertos com germânio e átomo de silício. |
Intrinsic Semiconductor is a pure form of the semiconductor as here no addition of impurity takes place. Um exemplo de semicondutores intrínsecos é Silício (Si) e germânio (Ge).
diferença entre o semicondutor intrínseco e extrínseco
- em um semicondutor intrínseco, a adição de impureza com um semicondutor puro não ocorre, enquanto o semicondutor extrínseco é formado pela imersão de impureza em um semicondutor puro.
- A densidade de elétrons e buracos no semicondutor intrínseco é o mesmo, i.e. o número de elétrons livres presentes na banda de condução é igual ao número de buracos na banda de valência. Mas no caso de semicondutores extrínsecos, o número de elétrons e buracos não são iguais. Em um semicondutor de tipo p, os buracos são em excesso e o número de elétrons é maior do que o número de buracos.
- A condutividade elétrica de um semicondutor intrínseco é baixa, enquanto que no semicondutor extrínseco a condutividade elétrica é alta.a impureza tal como o arsénio, antimónio, fósforo, índio de alumínio, etc. é adicionado à forma pura de silício e germânio para formar um semicondutor extrínseco. A forma pura de cristal de silício e germânio é usada em um semicondutor intrínseco.
- condutividade Elétrica em um semicondutor intrínseco é uma função da temperatura, mas em semicondutores extrínsecos a condutividade elétrica depende da temperatura e da quantidade de impureza de dopagem do semicondutor puro.