Unterschied zwischen intrinsischem und extrinsischem Halbleiter
Die intrinsischen und extrinsischen Halbleiter unterscheiden sich voneinander unter Berücksichtigung verschiedener Faktoren wie Dotierung oder Zugabe der Verunreinigung, Dichte von Elektronen und Löchern im Halbleitermaterial, elektrische Leitfähigkeit und ihre Abhängigkeit von verschiedenen anderen Faktoren.
Der Unterschied zwischen den beiden Halbleitertypen ist unten im Detail angegeben.
| GRUNDLAGE DER DIFFERENZ | INTRINSISCHER HALBLEITER | EXTRINSISCHER HALBLEITER |
|---|---|---|
| Dotierung von Verunreinigungen | Eine Dotierung oder Zugabe von Verunreinigungen findet im Halbleiter nicht statt. | Zur Herstellung eines extrinsischen Halbleiters wird eine kleine Menge Verunreinigung in einen reinen Halbleiter getaucht. |
| Dichte von Elektronen und Löchern | Die Anzahl der freien Elektronen im Leitungsband ist gleich der Anzahl der Löcher im Valenzband. | Die Anzahl der Elektronen und Löcher ist ungleich. |
| Elektrische Leitfähigkeit | Die elektrische Leitfähigkeit ist gering. | Die elektrische Leitfähigkeit ist hoch |
| Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit | Die elektrische Leitfähigkeit ist allein eine Funktion der Temperatur. | Die elektrische Leitfähigkeit hängt sowohl von der Temperatur als auch von der Menge der Störstoffdotierung im reinen Halbleiter ab. |
| Beispiel | Kristalline Form von reinem Silizium und Germanium.Verunreinigungen wie As, Sb, P, In, Bi, Al usw. sind dopped mit Germanium und Silizium atom. |
Intrinsischer Halbleiter ist eine reine Form des Halbleiters, da hier keine Zugabe von Verunreinigungen erfolgt. Ein Beispiel für intrinsische Halbleiter sind Silizium (Si) und Germanium (Ge).
Unterschied zwischen intrinsischem und extrinsischem Halbleiter
- In einem intrinsischen Halbleiter findet die Zugabe von Verunreinigung mit einem reinen Halbleiter nicht statt, wohingegen der extrinsische Halbleiter durch das Doppen von Verunreinigung in einem reinen Halbleiter gebildet wird.
- Die Dichte von Elektronen und Löchern im intrinsischen Halbleiter ist gleich, d.h. Die Anzahl der im Leitungsband vorhandenen freien Elektronen ist gleich der Anzahl der Löcher im Valenzband. Bei extrinsischen Halbleitern ist die Anzahl der Elektronen und Löcher jedoch nicht gleich. In einem p-Typ-Halbleiter sind die Löcher im Überschuss und n-Typ-Halbleiter Die Anzahl der Elektronen ist größer als die Anzahl der Löcher.
- Die elektrische Leitfähigkeit eines intrinsischen Halbleiters ist gering, während bei extrinsischen Halbleitern die elektrische Leitfähigkeit hoch ist.
- Die Verunreinigung wie Arsen, Antimon, Phosphor, Aluminium Indium, etc. wird der reinen Form des Silikons und des Germaniums hinzugefügt, um einen extrinsischen Halbleiter zu bilden. Die reine Form von Silizium- und Germaniumkristallen wird in einem intrinsischen Halbleiter verwendet.Die elektrische Leitfähigkeit in einem intrinsischen Halbleiter ist eine Funktion der Temperatur allein, aber in einem extrinsischen Halbleiter hängt die elektrische Leitfähigkeit von der Temperatur und der Menge der Verunreinigungsdotierung im reinen Halbleiter ab.