Was ist Transistor und Seine Funktionen und Eigenschaften[Video]

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Katalog

Einführung

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I Was ist Transistor?

II Entwicklung von Transistoren

2.1 Vakuumtriode

2.2 Punktkontakttransistoren

2.3 Bipolare und unipolare Transistoren

2.4 Siliziumtransistor

2.5 Integrierte Schaltungen

2.6 Feldeffekttransistor (FET) und MOS-transistor

2,7 Mikroprozessor (CPU)

III Klassifizierung von Transistor

3,1 Wie zu klassifizieren die transistor

3,2 Arten von transistor und ihre eigenschaften

IV Wichtigsten Parameter von Transistoren

4,1 DC Strom Verstärkung Faktor

4,2 AC Strom Verstärkung Faktor

4,3 Ableitung Leistung

4.4 Charakteristische Frequenz (fT)

4.5 Maximale Frequenz (fM)

4.6 Maximaler Kollektorstrom (ICM)

4.7 Maximale Sperrspannung

Häufig gestellte Fragen zum Transistor und seinen Funktionen und Eigenschaften

Buchvorschlag

Einführung

In diesem Artikel wird hauptsächlich vorgestellt, was genau ein Transistor ist und welche detaillierten Eigenschaften und Funktionen er hat. Transistor ist eine Art festes Halbleiterbauelement, das viele Funktionen hat, wie Erkennung, Gleichrichtung, Verstärkung, Schalten, Spannungsstabilisierung, Signalmodulation und so weiter. Als variabler Stromschalter kann der Transistor den Ausgangsstrom basierend auf der Eingangsspannung steuern. Im Gegensatz zu allgemeinen mechanischen Schaltern (wie Relais und Schaltern) verwenden Transistoren Telekommunikationssignale, um ihr Ein- und Ausschalten zu steuern, und die Schaltgeschwindigkeit kann sehr schnell sein, was in der mehr als 100 GHz erreichen kann laboratory.In 2016 durchbrach ein Team des Lawrence Berkeley National Laboratory die physikalische Grenze und schnitt den fortschrittlichsten Transistorprozess von 14 nm auf 1 nm, was einen Durchbruch in der Computertechnologie darstellte.

Was ist ein Transistor? Definition, Function & Uses

ICH Was ist Transistor?

Transistoren sind Halbleiterbauelemente, die üblicherweise in Verstärkern oder elektrisch gesteuerten Schaltern verwendet werden. Transistoren sind der Grundbaustein, der den Betrieb von Computern, Mobiltelefonen und allen anderen modernen elektronischen Schaltungen regelt.

Wegen seiner hohen antwort und hohe genauigkeit, transistoren können verwendet werden für eine vielzahl von digitalen und analogen funktionen, einschließlich verstärker, schalter, spannung stabilisatoren, signal modulation und oszillatoren. Transistoren können unabhängig voneinander oder in einem sehr kleinen Bereich untergebracht werden und einen Teil von 100 Millionen oder mehr integrierten Transistorschaltungen aufnehmen.

(Intel 3D transistor technologie)

Streng genommen, transistoren beziehen sich auf alle einzelnen elemente basierend auf semiconductor materialien, einschließlich dioden, transistoren, field effect transistoren, thyristoren, etc. die aus verschiedenen Halbleitermaterialien hergestellt. Transistoren beziehen sich meist auf Kristalltrioden.Transistoren werden in zwei Hauptkategorien unterteilt: Bipolartransistoren (BJT) und Feldeffekttransistoren (FET).

Struktur des Transistors

Der Transistor hat drei Pole: Die drei Pole des Bipolartransistors bestehen aus N-Typ bzw. P-Typ: Emitter, Basis und Kollektor; Die drei Pole des Feldeffekttransistors sind: Source, Gate, Drain.

Aufgrund der drei Polaritäten des Transistors gibt es auch drei Möglichkeiten, sie zu verwenden: geerdete emitter (auch als gemeinsame emission verstärker/CE konfiguration), geerdet basis (auch als gemeinsame basis verstärker/CB konfiguration) und geerdet collector (auch als gemeinsame set verstärker/CC konfiguration/Emitter koppler).

II Entwicklung von Transistoren

Im Dezember 1947 entwickelte ein Team von Belle Labs, Shockley, Barding und Bratton einen Punktkontaktgermaniumtransistor, dessen Aufkommen eine wichtige Erfindung im 20. Mit dem Aufkommen von Transistoren konnten die Menschen anstelle einer Röhre mit großem Volumen und großem Stromverbrauch ein kleines elektronisches Gerät mit geringem Stromverbrauch verwenden. Die Erfindung des Transistors läutete die Geburtsstunde der integrierten Schaltung ein.

In den frühen 1910er Jahren begannen Kommunikationssysteme Halbleiter zu verwenden. In der ersten Hälfte des 20.Jahrhunderts werden Erz-Radios, die bei Radioliebhabern weit verbreitet sind, zur Detektion unter Verwendung solcher Halbleiter verwendet. Die elektrischen Eigenschaften von Halbleitern wurden auch in Telefonsystemen angewendet.

• 2.1 Vakuumtriode

Im Februar 1939 gibt es eine große Entdeckung des Bell-Labors – den Silizium-PN-Übergang. 1942 fand ein Student namens Seymour Benzer von der Forschungsgruppe der Purdue University unter der Leitung von Lark Horovitz heraus, dass Germanium-Einkristalle ausgezeichnete Gleichrichtungseigenschaften aufweisen, die andere Halbleiter nicht aufweisen. Diese beiden Entdeckungen erfüllten die Anforderungen der Regierung der Vereinigten Staaten und bereiteten die Voraussetzungen für die spätere Erfindung von Transistoren.

• 2.2 Punktkontakttransistoren

1945 wurde der von Shockley und anderen Wissenschaftlern erfundene Punktkontakttransistor zum Vorläufer der menschlichen mikroelektronischen Revolution. Aus diesem Grund reichte Shockley die Patentanmeldung für den ersten Transistor für Bell ein. Schließlich erhielt er die Genehmigung des ersten Transistorpatents.

• 2.3 Bipolare und unipolare Transistoren

1952 schlug Shockley das Konzept des unipolaren Sperrschichttransistors vor, der 1952 auf dem Bipolartransistor basierte und heute als Sperrschichttransistor bezeichnet wird. Seine Struktur ähnelt der eines PNP- oder NPN-Bipolartransistors, aber an der Grenzfläche des PN-Materials befindet sich eine Verarmungsschicht, um einen Gleichrichterkontakt zwischen dem Gate und dem Source-Drain-Leitkanal zu bilden. Gleichzeitig wird der Halbleiter an beiden Enden als Gate verwendet. Der Strom zwischen Source und Drain wird durch das Gate eingestellt.

Ein detaillierter Blick darauf, wie ein NPN-Bipolar-Junction-Transistor funktioniert und was er tut

• 2.4 Siliziumtransistor

Der Halbleiter, der Transistor produziert, ist gewachsen von einem mehrköpfigen Unternehmen zu einem großen Unternehmen mit 12.000 Mitarbeitern.

• 2.5 Integrierte Schaltungen

Nach der Erfindung des Siliziumtransistors im Jahr 1954 wurde die große Anwendungsperspektive von Transistoren immer offensichtlicher. Das nächste Ziel der Wissenschaftler ist es, Transistoren, Drähte und andere Geräte weiter effizient zu verbinden.

• 2.6 Feldeffekttransistor (FET) und MOS-Transistor

1962 stellten Stanley, Heiman und Hofstein, die in der RCA Device Integration Research Group arbeiteten, fest, dass Transistoren, dh MOS-Transistoren, durch Diffusion und thermische Oxidation von leitenden Bändern, hochohmigen Kanälen und Oxidisolatoren auf Si-Substraten konstruiert werden können.

• 2.7 Mikroprozessor (CPU)

Zu Beginn von Intels Gründung konzentrierte sich das Unternehmen noch auf Speicherleisten. Hoff integrierte alle zentralen Prozessorfunktionen auf einem einzigen Chip sowie Speicher. Und es ist der erste Mikroprozessor der Welt“s—-4004 (1971). Die Geburt von 4004 markiert den Beginn einer Ära. Von da an ist Intel auf dem Gebiet der Mikroprozessorforschung unkontrollierbar und dominant geworden.

1989 führte Intel 80486-Prozessoren ein. 1993 entwickelte Intel eine neue Generation von Prozessoren. Und 1995 veröffentlichte Intel Pentium_Pro. Der PentiumII-Prozessor wurde 1997 veröffentlicht. Im Jahr 1999 wird der Pentium III-Prozessor veröffentlicht, und der Pentium 4-Prozessor ist im Jahr 2000.

III Klassifizierung von Transistor

• 3,1 Wie zu klassifizieren die transistor

> Material verwendet in die transistor

Nach die semiconductor materialien verwendet in die transistor, es kann unterteilt werden in silizium transistor und germanium transistor. Entsprechend der Polarität des Transistors kann er in Germanium-NPN-Transistor, Germanium-PNP-Transistor, Silizium-NPN-Transistor und Silizium-PNP-Transistor unterteilt werden.

> Technologie

Je nach Struktur und Herstellungsprozess können Transistoren in diffusive Transistoren, Legierungstransistoren und Planartransistoren unterteilt werden.

> Strom kapazität

Nach strom kapazität, transistoren können unterteilt werden in low-power-transistoren, medium-power-transistoren und high-power-transistoren.

> Betriebs frequenz

Nach betriebs frequenz, transistoren können unterteilt werden in low-frequenz transistoren, high-frequenz transistoren und ultra-high-frequenz transistoren.

> Paketstruktur

Entsprechend der Verpackungsstruktur können Transistoren in Metallverpackungstransistoren, Kunststoffverpackungstransistoren, Glasschalenverpackungstransistoren, Oberflächenverpackungstransistoren und Keramikverpackungstransistoren usw. unterteilt werden.

> Funktionen und Verwendungen

Je nach Funktionen und Verwendungen können Transistoren in rauscharme Verstärkertransistoren, Mittelhochfrequenzverstärkertransistoren, Schalttransistoren, Darlington-Transistoren, Hochspannungstransistoren, Bandsperrtransistoren, Dämpfungstransistoren, Mikrowellentransistoren, optische Transistoren und magnetische Transistoren und viele andere Typen unterteilt werden.

• 3.2 Arten von Transistoren und ihre Eigenschaften

> Riesentransistor (GTR)

GTR ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), daher wird er manchmal als Leistungs-BJT bezeichnet.

Eigenschaften: Hohe spannung, hohe strom, gute schalt eigenschaften, hohe fahren power, aber die fahren schaltung ist komplex; Die arbeits prinzip von GTR und gewöhnlichen bipolar junction transistoren ist die gleiche.

> Fototransistor

Fototransistoren sind optoelektronische Bauelemente, die aus Bipolartransistoren oder Feldeffekttransistoren bestehen. Licht wird im aktiven Bereich solcher Vorrichtungen absorbiert, wodurch photogenerierte Träger erzeugt werden, die einen internen elektrischen Verstärkungsmechanismus durchlaufen und eine Photostromverstärkung erzeugen. Fototransistoren arbeiten an drei Enden, so dass sie leicht elektronische Steuerung oder elektrische Synchronisation zu realisieren sind.

Die in Fototransistoren verwendeten Materialien sind normalerweise GaAs, die hauptsächlich in bipolare Fototransistoren, Feldeffekt-Fototransistoren und ihre verwandten Vorrichtungen unterteilt sind. Bipolare Fototransistoren haben normalerweise eine hohe Verstärkung, aber nicht zu schnell. Für GaAs-GaAlAs, die vergrößerung faktor kann größer als 1000, die antwort zeit ist länger als nanosekunde, die ist oft verwendet als photodetektor und optische verstärkung.

Feldeffekt-Fototransistoren (FET) reagieren schnell (etwa 50 Pikosekunden), aber der Nachteil ist, dass die lichtempfindliche Fläche und Verstärkung klein ist, was oft als Ultrahochgeschwindigkeits-Fotodetektor verwendet wird. Es sind viele andere planare optoelektronische Bauelemente zugeordnet, deren Merkmale eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit (Reaktionszeit beträgt zehn Pikosekunden) sind und für die Integration geeignet sind. Es wird erwartet, dass diese Art von Bauelementen in der optoelektronischen Integration eingesetzt wird.

> Bipolar Transistor

Bipolar transistor ist eine art von transistor häufig verwendet in audio schaltungen. Das bipolare resultiert aus dem Stromfluss in zwei Arten von Halbleitermaterialien. Bipolartransistoren können je nach Polarität der Betriebsspannung in NPN- oder PNP-Typen unterteilt werden.

> Bipolar Junction Transistor (BJT)

„Bipolar“ bedeutet, dass sowohl Elektronen als auch Löcher gleichzeitig in Bewegung sind sie arbeiten. Bipolar Junction Transistor, auch bekannt als semiconductor triode, ist ein gerät, dass kombiniert zwei PN junctions durch eine bestimmte prozess. Es gibt zwei kombinierte Strukturen von PNP und NPN. Externe Auslösung von drei Polen: kollektor, emitter und Basis. BJT hat Verstärkungsfunktion, die von seinem Emitterstrom abhängt, kann durch den Basisbereich zum Kollektorbereich übertragen werden.

Um diesen Transportprozess sicherzustellen, sollten einerseits die inneren Bedingungen erfüllt sein, dh die Verunreinigungskonzentration im Emissionsbereich sollte viel größer sein als die Verunreinigungskonzentration im Basisbereich und die Dicke der Basisfläche sollte sehr klein sein; Andererseits sollten die äußeren Bedingungen erfüllt sein. Das heißt, der Emissionsübergang sollte positiv vorgespannt sein (plus positive Spannung), und der Kollektorübergang sollte umgekehrt vorgespannt sein. Es gibt viele Arten von BJT, je nach Frequenz gibt es Hoch- und Niederfrequenzröhren, je nach Leistung gibt es kleine, mittlere und Hochleistungsröhren, je nach Halbleitermaterial gibt es Silizium- und Germaniumröhren usw. Die Verstärkerschaltung besteht aus einem gemeinsamen Emitter, einer gemeinsamen Basis und einem gemeinsamen Kollektor.

BJT

> Feldeffekttransistor (FET)

Die Bedeutung von „Feldeffekt“ ist, dass das Prinzip des Transistors basiert auf dem elektrischen Feldeffekt des Halbleiters.

Feldeffekttransistoren sind Transistoren, die nach dem Prinzip der Feldeffekte arbeiten. Es gibt zwei Haupttypen von FET: Junction-FET (JFET) und Metalloxid-Halbleiter-FET (MOS-FET). Im Gegensatz zu BJT, FET besteht aus nur einem Träger, so dass es „s auch einen unipolaren Transistor genannt. Es gehört zu spannungsgesteuerten Halbleiterbauelementen, die die Vorteile eines hohen Eingangswiderstands, eines geringen Rauschens, eines geringen Stromverbrauchs, eines großen Dynamikbereichs, einer einfachen Integration, eines sekundären Durchbruchs, eines breiten sicheren Arbeitsbereichs usw. aufweisen.Der Feldeffekt besteht darin, die Richtung oder Größe des elektrischen Feldes senkrecht zur Oberfläche des Halbleiters zu ändern, um die Dichte oder den Typ der meisten Träger in der Halbleiterleitschicht (Kanal) zu steuern. Der Strom im Kanal wird durch Spannung moduliert, und der Arbeitsstrom wird von den meisten Trägern im Halbleiter transportiert. Im vergleich mit bipolar transistoren, FET ist gekennzeichnet durch hohe eingangs impedanz, geräuscharm, hohe grenze frequenz, niedrigen strom verbrauch, einfache herstellung prozess und gute temperatur eigenschaften, die sind weit verbreitet in verschiedenen verstärker, digitale schaltungen und mikrowelle schaltungen, etc. Metall-MOSFETs auf Siliziumbasis und Schottky-Barrier-FET (MESFET) auf GaAs-Basis sind zwei der wichtigsten Feldeffekttransistoren. Sie sind die grundlegenden geräte von MOS große skala integrierte schaltung und MES ultra high speed integrierte schaltung jeweils.

FET

> Einzelelektronentransistor

Ein Transistor, der ein Signal mit einem oder einer kleinen Menge Elektronen aufnehmen kann. Mit der Entwicklung der Halbleiterätztechnologie wird die Integration von großflächigen integrierten Schaltkreisen immer höher. Nehmen wir als Beispiel den dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM), dessen Integration alle zwei Jahre fast viermal zunimmt, und es wird erwartet, dass der Einzelelektronentransistor das ultimative Ziel sein wird.

Derzeit enthält der durchschnittliche Speicher 200.000 Elektronen, während der Einzelelektronentransistor nur ein oder wenige Elektronen enthält, wodurch der Stromverbrauch erheblich reduziert und die Integration integrierter Schaltkreise verbessert wird. 1989 entdeckten J.H. F.Scott-Thomas und andere Forscher das Coulomb-Blockierungsphänomen. Wenn eine Spannung angelegt wird, fließt kein Strom durch den Quantenpunkt, wenn die Änderung der elektrischen Ladungsmenge in einem Quantenpunkt weniger als ein Elektron beträgt.

Die Strom-Spannungs-Beziehung ist also keine normale lineare Beziehung, sondern eine stufenförmige.Dieses Experiment ist das erste Mal in der Geschichte, dass die Bewegung eines Elektrons manuell gesteuert wird, was die experimentelle Grundlage für die Herstellung eines Einzelelektronentransistors bildet.

> Isolieren Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Isolieren Gate Bipolar Transistor kombiniert die vorteile von Riesen Transistor-GTR und Power MOSFETs. Es hat gute Eigenschaften und hat eine breite Palette von Anwendungen. IGBT ist auch ein Drei-Terminal-Gerät: gate, Kollektor und Emitter.

IV Wichtigsten Parameter von Transistoren

Die wichtigsten parameter der transistor umfassen strom verstärkung faktor, verlustleistung, Eigenschaft frequenz, maximale kollektor strom, maximale reverse spannung, reverse strom und so weiter.

• 4.1 Gleichstromverstärkungsfaktor

Der Gleichstromverstärkungsfaktor, auch statischer Stromverstärkungsfaktor oder Gleichstromverstärkungsfaktor genannt, bezieht sich auf das Verhältnis von IC des Transistorkollektorstroms zum Basisstrom IB, der normalerweise durch hFE oder β ausgedrückt wird, wenn der statische Signaleingang nicht geändert wird.

• 4.2 Wechselstromverstärkungsfaktor

Der Wechselstromverstärkungsfaktor, auch Wechselstromverstärkungsfaktor und dynamischer Stromverstärkungsfaktor genannt, bezieht sich auf das Verhältnis von IC zu IB im Wechselstromzustand, das normalerweise durch hfe oder β ausgedrückt wird. hfe und β sind eng verwandt, aber auch unterschiedlich. Die beiden Parameter liegen bei niedriger Frequenz nahe beieinander und weisen bei hoher Frequenz einige Unterschiede auf.

• 4.3 Ableitung Power

Ableitung power, auch bekannt als die maximal zulässige ableitung power von kollektor —- PCM, bezieht sich auf die maximale ableitung power von kollektor, wenn die parameter von transistor nicht überschreiten die vorgeschriebenen zulässigen wert.

Die Verlustleistung hängt eng mit dem maximal zulässigen Sperrschicht- und Kollektorstrom des Transistors zusammen. Die tatsächliche leistung verbrauch der transistor ist nicht erlaubt zu überschreiten die PCM wert, wenn es ist verwendet sonst die transistor beschädigt werden durch überlast.

Der Transistor, dessen Verlustleistung PCM kleiner als 1W ist, wird üblicherweise als Niederleistungstransistor bezeichnet, der gleich oder größer als 1W ist, der Transistor kleiner als 5W wird als Mittelleistungstransistor bezeichnet, und der Transistor, dessen PCM gleich oder größer als 5W ist, wird als Hochleistungstransistor bezeichnet.

• 4.4 Charakteristische Frequenz (fT)

Wenn die Betriebsfrequenz des Transistors die Grenzfrequenz fß oder fa überschreitet, nimmt der Stromverstärkungsfaktor β mit zunehmender Frequenz ab. Die charakteristische Frequenz ist die Frequenz des Transistors, bei der der β-Wert auf 1 reduziert wird.

Die Transistoren, deren charakteristische Frequenz kleiner oder gleich 3 MHZ ist, werden üblicherweise als Niederfrequenztransistoren, Transistoren mit fT größer oder gleich 30 MHZ als Hochfrequenztransistoren, Transistoren mit fT größer als 3 MHZ und Transistoren kleiner als 30 MHZ als Zwischenfrequenztransistoren bezeichnet.

• 4.5 Maximale Frequenz (fM)

Die maximale Schwingungsfrequenz ist die Frequenz, bei der die Leistungsverstärkung des Transistors auf 1 reduziert wird.

Im Allgemeinen ist die maximale Schwingungsfrequenz von Hochfrequenztransistoren niedriger als die gemeinsame Basis-Grenzfrequenz fa, während die charakteristische Frequenz fT höher als die gemeinsame Basis-Grenzfrequenz fa und niedriger als die gemeinsame Kollektor-Grenzfrequenz fß ist.

• 4.6 Maximaler Kollektorstrom (ICM)

Der maximale Kollektorstrom (ICM) ist der maximal zulässige Strom durch den Transistorkollektor. Wenn der Kollektorstrom IC des Transistors ICM überschreitet, ändert sich der β-Wert des Transistors offensichtlich, was seinen normalen Betrieb beeinträchtigt und sogar Schäden verursacht.

• 4.7 Maximale Sperrspannung

Die maximale Sperrspannung ist die maximale Betriebsspannung, die der Transistor anlegen darf, wenn er in Betrieb ist. Es umfasst die Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung, die Kollektor-Basis-Durchbruchsspannung und die Emitter-Basis-Durchbruchsspannung.

> Kollektor – Kollektor-Sperrspannung

Diese Spannung bezieht sich auf die maximal zulässige Sperrspannung zwischen Kollektor und Emitter, wenn die Basisschaltung des Transistors geöffnet ist, normalerweise ausgedrückt in VCEO oder BVCEO.

> Base – Base Reverse Breakdown Voltage

Die Spannung bezieht sich auf die maximal zulässige Sperrspannung zwischen dem Kollektor und der Basis, wenn der Transistor gezündet wird, die in VCBO oder BVCBO ausgedrückt wird.

> Emitter – Emitter-Sperrspannung

Diese Spannung bezieht sich auf die maximal zulässige Sperrspannung zwischen Emitter und Basis, wenn der Kollektor des Transistors geöffnet ist, die in VEBO oder BVEBO ausgedrückt wird.

Rückstrom zwischen Kollektor und Basiselektrode

> Kollektor- Basis-Rückstrom (ICBO)

ICBO, auch Kollektor-Rückstrom-Leckstrom genannt, bezieht sich auf den Rückstrom zwischen Kollektor und Basiselektrode, wenn der Emitter des Transistors geöffnet ist. Der Rückstrom ist temperaturempfindlich. Je kleiner der Wert ist, desto besser ist die Temperaturcharakteristik des Transistors.

> Kollektor – Emitter-Durchschlagsstrom (ICEO)

Durchschlagsstrom ICEO zwischen Kollektor und Emitter

ICEO ist der umgekehrte Leckstrom zwischen Kollektor und Emitter, wenn die Basis des Transistors geöffnet ist. Je kleiner der Strom ist, desto besser ist die Leistung des Transistors.

Häufig gestellte Fragen zum Transistor und seinen Funktionen und Eigenschaften

1. Was ist ein Transistor und wie funktioniert er?Ein Transistor ist ein elektronisches Miniaturbauteil, das zwei verschiedene Aufgaben erfüllen kann. Es kann entweder als Verstärker oder Schalter arbeiten: … Ein winziger elektrischer Strom, der durch einen Teil eines Transistors fließt, kann einen viel größeren Strom durch einen anderen Teil fließen lassen. Mit anderen Worten, der kleine Strom schaltet den größeren ein.

2. Was sind die Hauptfunktionen eines Transistors?Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das verwendet wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Es besteht aus Halbleitermaterial, üblicherweise mit mindestens drei Anschlüssen zum Anschluss an eine externe Schaltung.

3.Was ist das Prinzip des Transistors?Ein Transistor besteht aus zwei PN-Dioden, die Rücken an Rücken verbunden sind. Es hat drei Anschlüsse, nämlich Emitter, Basis und Kollektor. Die Grundidee hinter einem Transistor ist, dass Sie den Stromfluss durch einen Kanal steuern können, indem Sie die Intensität eines viel kleineren Stroms variieren, der durch einen zweiten Kanal fließt.

4. Was sind die beiden Haupttypen von Transistoren?Transistoren werden grundsätzlich in zwei Typen eingeteilt; Sie sind Bipolar Junction Transistoren (BJT) und Feldeffekttransistoren (FET). Die BJTs werden wiederum in NPN- und PNP-Transistoren eingeteilt.

5. Wie viele Arten von Transistoren gibt es?
zwei Arten
Es gibt zwei Arten von Transistoren, die geringfügige Unterschiede in der Verwendung in einer Schaltung aufweisen. Ein Bipolartransistor hat Anschlüsse mit der Bezeichnung Basis, Kollektor und Emitter.

6. Was ist PNP- und NPN-Transistor?In einem NPN-Transistor wird eine positive Spannung an den Kollektoranschluss gegeben, um einen Stromfluss vom Kollektor zum Emitter zu erzeugen. In einem PNP-Transistor wird eine positive Spannung an den Emitteranschluss gegeben, um einen Stromfluss vom Emitter zum Kollektor zu erzeugen.

7. Wie Transistoren sind gemessene Eigenschaften?
Die Ausgangscharakteristik des Transistors wird bestimmt, indem die Änderung der Spannung zwischen den Kollektor-Emitter-Anschlüssen, die zum Kollektorstrom gehören, für verschiedene Basisströme untersucht wird. Das Experiment wird durch Drücken der Taste „Ausgangscharakteristik“ auf dem Mobilgerät gestartet.

8. Was ist ein Transistor in einer CPU?Ein Transistor ist eine grundlegende elektrische Komponente, die den Fluss des elektrischen Stroms verändert. Transistoren sind die Bausteine integrierter Schaltkreise wie Computerprozessoren oder CPUs. Transistoren in Computerprozessoren schalten Signale häufig ein oder aus.

9. Was ist der Zweck eines NPN-Transistors?Definition: Der Transistor, in dem ein p-Typ-Material zwischen zwei n-Typ-Materialien angeordnet ist, wird als NPN-Transistor bezeichnet. Der NPN-Transistor verstärkt das schwache Signal, das in die Basis eintritt, und erzeugt starke Verstärkungssignale am Kollektorende.

10. Wofür werden Transistoren in einem Mobiltelefon verwendet?
Sie speichern eine elektrische Ladung. Sie speichern Daten. Sie verstärken das eingehende Signal des Telefons.

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